晶圓加熱器的用途是什么？
晶圓加熱器主要用于薄膜沉積系統，特別是半導體行業，但也用于太陽能電池板、納米技術、薄膜沉積系統以及光刻、退火和光學器件行業。在這些真空工藝中，超薄（有時只有幾個原子厚）涂層被施加到真空中的表面。使用的技術多種多樣，所有這些技術都需要不同的基板加熱元件，其特性和設計要與工作溫度和沉積材料的類型相匹配。我們的晶圓加熱器用于以下工藝：
- ALD（原子層沉積）200°C 至 400°C
- 900°C 以上的 CVD（化學氣相沉積）
- PVD（物理氣相沉積）200°C 至 400°C
- PLD（脈沖激光沉積）500°C
- PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）200°C 至 400°C
- 濺射（用高能粒子轟擊基材進行鍍膜）350°C
晶圓加熱器可以直接影響沉積薄膜的性能，包括對粘附力和化學反應的影響。它們對于確保加熱均勻性以使薄膜均勻沉積至關重要。
晶圓加熱器的類型
（礦物絕緣）晶圓加熱器的選擇取決于所需的應用。由于薄膜沉積工藝的高度專業化和關鍵性，我們的加熱解決方案通常是定制的，以考慮所有工藝參數和所需的最終結果。我們的重點是以下類別的加熱器：
-
一系列標準盤式加熱器
- 直徑5厘米至16厘米
- 提供通用支架，允許客戶將圓盤螺紋連接或焊接到其特定的固定裝置中
-
定制基材/壓板加熱器
- 與客戶共同設計，在尺寸、形狀、護套材料等方面完全適合應用環境
無論您在 圣柏林選擇哪種加熱器，我們產品的高質量和顧問的專業知識都意味著可以確保熱均勻性，這對于薄膜沉積系統至關重要。
規格及物理性能
為了努力確保晶圓加熱器完美適應每種應用，圣柏林將考慮許多變量和規格：
- 不同類型的基材加熱元件有各種（可定制的）形狀、尺寸和長度。
- 電氣連接是密封的。密封件的選擇取決于真空度和化學品/污染物的存在。
- 使用氦氣泄漏檢查來確保真空完整性
- 真空法蘭（“O”形環）可用于連接真空外部的電源和傳感器電纜。我們的金屬陶瓷加熱連接器也是這方面值得考慮的有用配件。
- 熱熱段和冷熱段可定制。
- 可以提供焊接外護套，以最大限度地減少危險環境中的污染。例如，不銹鋼或 Inconel 600。
- 可以包含內部熱電偶以精確監控所產生的熱量。
所有這些可能性意味著我們可以提供耐氧化、惰性、還原和（高）真空環境的晶圓加熱器。我們的礦物絕緣晶圓加熱器的溫度范圍非常寬，使其適合所有沉積工藝，甚至高達 1000°C。此外，得益于護套，晶圓加熱器具有高度響應性和出色的機械強度。
客服1